我院开展“局部有源忆阻神经形态动力学行为”学术讲座

2024年4月8日，杭州电子科技大学博士生导师王光义教授在学院会议室为师生们带来了一场主题为“局部有源忆阻神经形态动力学行为”的学术讲座。科研院长雷腾飞主持，忆阻计算团队成员参加了此次讲座。

王教授首先介绍了复杂性以及有源忆阻器的基本概念、详细阐述如何计算局部有源忆阻的混沌边缘，Chua忆阻（CCM）的神经形态动力学特性，最后介绍了改进CCM的神经形态行为特性以及电路设计原则等。王教授团队在局部有源忆阻相关研究结果，被评为IEEE电路与系统学会Guillemin-Cauer最佳论文奖。

王教授的讲座内容丰富、深入浅出，为学院师生提供了一个全面了解局部有源忆阻的平台。通过这次讲座，可以更好地理解忆阻器的原理、忆阻电路设计方法，以及忆阻在存算一体中应用前景和挑战。同时，与王教授的交流也促进了学术思想的碰撞和启迪，有助于推动我校在忆阻计算领域的发展和创新。